יאָן סעלעקטיוו עלעקטראָד

מעסטונג פּראָצעס פון יאָן סעלעקטיוו עלעקטראָד

ווען די געמאסטענע יאנען אין דער עלעקטראָד לייזונג קומען אין קאָנטאַקט מיטן עלעקטראָד, פּאַסירט יאָן מיגראַציע אין דעם אַקוויפער פון דער יאָן סעלעקטיוו עלעקטראָד מעמבראַנע מאַטריץ. עס איז דאָ אַ פּאָטענציעל אין דער אָפּצאָל ענדערונג פון די מיגרירנדיקע יאנען, וואָס ענדערט דעם פּאָטענציעל צווישן די מעמבראַנע סערפאַסיז. אַזוי, ווערט אַ פּאָטענציעל חילוק גענערירט צווישן דעם מעסטנדיקן עלעקטראָד און דעם רעפערענץ עלעקטראָד. עס איז ידעאַל אַז דער פּאָטענציעל חילוק גענערירט צווישן דעם יאָן סעלעקטיוו עלעקטראָד און די יאנען וואָס מען דאַרף מעסטן אין דער לייזונג זאָל זיין אין לויט מיט דער נערנסט גלייכונג, וואָס איז

E=E0 + log10a(x)

E: געמעסטענע פּאָטענציעל

E0: נאָרמאַלער עלעקטראָד פּאָטענציעל (קאָנסטאַנט)

ר: גאַז קאָנסטאַנט

ט: טעמפּעראַטור

ז: יאָנישע וואַלענס

F: פאַראַדיי קאָנסטאַנט

a(x): יאָן אַקטיוויטעט

מען קען זען אז דער געמאסטענער עלעקטראָד פּאָטענציאַל איז פּראָפּאָרציאָנעל צום לאָגאַריטם פון דער אַקטיוויטעט פון "X" יאָנען. ווען דער אַקטיוויטעט קאָעפיציענט בלייבט קאָנסטאַנט, איז דער עלעקטראָד פּאָטענציאַל אויך פּראָפּאָרציאָנעל צום לאָגאַריטם פון דער יאָן קאָנצענטראַציע (C). אויף דעם וועג קען מען באַקומען די אַקטיוויטעט אָדער קאָנצענטראַציע פון ​​יאָנען אין דער לייזונג.